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產(chǎn)品詳情

  • 產(chǎn)品名稱：等離子增強化學氣相沉積設備

  • 產(chǎn)品型號：CY-PECVD-240T-SS
  • 產(chǎn)品廠商：成越科儀
  • 產(chǎn)品文檔：
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簡單介紹：
化學氣相沉積采用等離子體增強型化學氣相沉積技術(shù)，基本溫度低，沉積速率快，在光學玻璃、硅、石英以及不銹鋼等不同襯底材料上沉積氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜
詳情介紹：
化學氣相沉積采用等離子體增強型化學氣相沉積技術(shù)，基本溫度低，沉積速率快，在光學玻璃、硅、石英以及不銹鋼等不同襯底材料上沉積氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜，成膜質(zhì)量好，針孔較少，不易龜裂，適用于制備非晶硅和微晶硅薄膜太陽電池器件，可廣泛應用于大專院校、科研院所的薄膜材料的科研與小批量制備。
主要功能及特點：
PECVD設備利用平板電容式輝光放電原理，將通入沉積室的工藝氣體解離并產(chǎn)生等離子體，被解離的基團在等離子體中重新發(fā)生化學反應，由于等離子體存在，促進氣體分子的分解、化合、激發(fā)和電離，促進反應活性基團的生成，從而降低沉積溫度，在具有一定溫度的基片上沉積形成薄膜?？筛鶕?jù)工藝調(diào)節(jié)等離子體的密度和能量，控制薄膜的生長速率和微結(jié)構(gòu)。
產(chǎn)品參數(shù)：


PECVD



產(chǎn)品名稱

桌面式4英寸平板等離子體增強化學氣相沉積PECVD

產(chǎn)品型號

CY-PECVD-240T-SS

供電電源

AC220V 50Hz

射頻電源

信號頻率

13.56MHz

功率輸出范圍

0~500W (還可選擇150W, 300W, 1000W等)

工作腔體

加熱溫度

RT-500℃（還可選擇600℃，800℃，1000℃等）

樣品臺尺寸

Φ100mm（兼容4英寸及以下樣品）

樣品臺轉(zhuǎn)速

1-20rpm 可調(diào)

腔體材質(zhì)

不銹鋼

觀察窗

Φ60mm, 帶擋板

供氣系統(tǒng)

通道數(shù)

3 （可根據(jù)需要選擇其他通道數(shù)，其他氣體種類，其他測量范圍）

測量單位

質(zhì)量流量計

測量范圍

A 通道: 0～200SCCM for O2  

B通道: 0～200SCCM for N2

C通道: 0～200SCCM for Ar

真空系統(tǒng)

前級泵抽速

1.1L/s

分子泵抽速

60L/s

真空測量

復合真空計

真空度

5.0*10-3Pa

水冷機

水流速

10L/min

冷卻功率

50W/℃



豫公網(wǎng)安備 41019702002438號